Электронно-лучевая литография

Каталожный номер	Цена без НДС	Срок поставки
1-20034	по запросу	под заказ

Установка для электронно-лучевой литографии EBL 100, Himera, 1-20034

Установка для электронно-лучевой литографии EBL 100, Himera - это прибор для создания структур в субмикронном и нанометровом масштабах за счет экспонирования сфокусированного пучка электронов на поверхности чувствительного слоя резиста.

Оборудование предназначено для научно-исследовательских лабораторий, центров коллективного пользования и опытных производств, работающих в сферах полупроводниковой электроники, фотоники и MEMS-технологий. Оно обеспечивает прямое нанесение структур на резист с высокой точностью и стабильностью совмещения. Используется для разработки новых топологических норм, создания масок и прототипов устройств с минимальной шириной линий до 10 нм, позволяя достигать небывалых для подобных систем характеристик.

Возможности:

- Системы обеспечивают нанометровое разрешение благодаря высокоэнергетическому ускоряющему напряжению до 100 кВ, что позволяет сосредоточить пучок с диаметром не больше 2,9 нм и создавать линии шириной до 10 нм.

- Пучок характеризуется высокой стабильностью: его положение дрейфует максимум на 10 нм за час, а нестабильность по току не превышает 0,5% в час.

- Положение и совмещение слоёв достигают точности до ±10 нм за счёт лазерной интерферометрической системы, которая обеспечивает разрешение лучше 0,6 нм.

- Производительность повышается за счёт векторного способа сканирования со скоростью 100 МГц, что значительно сокращает время экспонирования по сравнению с классическими растровыми системами.

- Автоматизация работы включает встроенные алгоритмы коррекции эффектов близости (PEC), поддержку формата GDSII и автоматическую калибровку искажений для повышения точности.

- Конфигурация системы гибкая: есть возможность использования пластины диаметром 6 или, по запросу, 8 дюймов

- Наличие опциональной системы активной виброизоляции

Технические характеристики:

Тип источника электронов	Катод Шоттки с автоэмиссией
Ускоряющее напряжение, кВ	100
Максимальный ток пучка, нА	100
Минимальный размер пятна пучка, нм	≤2.9
Минимальная ширина линии, нм	8
Режим сканирования	Векторное сканирование
Скорость сканирования, МГц	100
Максимальное поле экспонирования, мкм	1000 × 1000
Точность сшивки полей (Stitching), нм	≤±10
Точность совмещения (Overlay), нм	≤±10
Стабильность положения пучка, нм/ч	≤10
Стабильность тока пучка, %/ч	≤±0.5
Перемещение стола (Step & Repeat), мм	190 × 170
Разрешение системы позиционирования, нм	≤0.6 (лазерный интерферометрический столик)
Типы обрабатываемых образцов	Пластины до 6 дюймов (опционально 8″)
Вакуумная система	Комбинированная (безмасляные форвакуумные, турбомолекулярные, ионные насосы)
Коррекция эффектов близости (PEC)	программная компенсация дозы экспонирования
Автоматическая калибровка	Коррекция искажений поля, фокусировка по высоте (опционально)