Электронно-лучевая литография
| Цена без НДС | Срок поставки | |
|---|---|---|
| по запросу | под заказ |
Установка для электронно-лучевой литографии EBL 100, Himera
Установка для электронно-лучевой литографии EBL 100, Himera прибор для создания структур в субмикронном и нанометровом масштабах за счет экспонирования сфокусированного пучка электронов на поверхности чувствительного слоя резиста.
Оборудование предназначено для научно-исследовательских лабораторий, центров коллективного пользования и опытных производств, работающих в сферах полупроводниковой электроники, фотоники и MEMS-технологий. Оно обеспечивает прямое нанесение структур на резист с высокой точностью и стабильностью совмещения. Используется для разработки новых топологических норм, создания масок и прототипов устройств с минимальной шириной линий до 10 нм, позволяя достигать небывалых для подобных систем характеристик.
Возможности:
- Системы обеспечивают нанометровое разрешение благодаря высокоэнергетическому ускоряющему напряжению до 100 кВ, что позволяет сосредоточить пучок с диаметром не больше 2,9 нм и создавать линии шириной до 10 нм.
- Пучок характеризуется высокой стабильностью: его положение дрейфует максимум на 10 нм за час, а нестабильность по току не превышает 0,5% в час.
- Положение и совмещение слоёв достигают точности до ±10 нм за счёт лазерной интерферометрической системы, которая обеспечивает разрешение лучше 0,6 нм.
- Производительность повышается за счёт векторного способа сканирования со скоростью 100 МГц, что значительно сокращает время экспонирования по сравнению с классическими растровыми системами.
- Автоматизация работы включает встроенные алгоритмы коррекции эффектов близости (PEC), поддержку формата GDSII и автоматическую калибровку искажений для повышения точности.
- Конфигурация системы гибкая: есть возможность использования пластины диаметром 6 или, по запросу, 8 дюймов
- Наличие опциональной системы активной виброизоляции
Технические характеристики:
| Тип источника электронов | Катод Шоттки с автоэмиссией |
| Ускоряющее напряжение, кВ | 100 |
| Максимальный ток пучка, нА | 100 |
| Минимальный размер пятна пучка, нм | ≤2.9 |
| Минимальная ширина линии, нм | 8 |
| Режим сканирования | Векторное сканирование |
| Скорость сканирования, МГц | 100 |
| Максимальное поле экспонирования, мкм | 1000 × 1000 |
| Точность сшивки полей (Stitching), нм | ≤±10 |
| Точность совмещения (Overlay), нм | ≤±10 |
| Стабильность положения пучка, нм/ч | ≤10 |
| Стабильность тока пучка, %/ч | ≤±0.5 |
| Перемещение стола (Step & Repeat), мм | 190 × 170 |
| Разрешение системы позиционирования, нм | ≤0.6 (лазерный интерферометрический столик) |
| Типы обрабатываемых образцов | Пластины до 6 дюймов (опционально 8″) |
| Вакуумная система | Комбинированная (безмасляные форвакуумные, турбомолекулярные, ионные насосы) |
| Коррекция эффектов близости (PEC) | программная компенсация дозы экспонирования |
| Автоматическая калибровка | Коррекция искажений поля, фокусировка по высоте (опционально) |
Комплектация:
- Установка для электронно-лучевой литографии Himera EBL 100
Документация:
- Инструкция по применению
- Паспорт
Вы можете купить Установка для электронно-лучевой литографии EBL 100, Himera в Москве в компании Лабтех по наименьшей цене.
